奥义思 5月6日 国际报道 英特尔宣布，从今年开始采用革命性的3D技术来制造处理器，这是微处理器设计50年的最大突破。
英特尔将采用所谓“Tri-Gate”（三门）晶体管制造技术，和以往在硅片平面创建集成电路的设计思路不同，3D技术将用立结构制造芯片。这种设计可以让处理器的功耗更低，但性能却大大提高。
英特尔“逻辑技术开发部门”主任Mark Bohr表示，和现有的32纳米制程工艺相比，采用22纳米制造工艺的3D处理器能提高37%的性能，而电力消耗仅是前者的一半。
英特尔方面称，这是集成电路设计上个世纪50年代以来的最重要的技术突破，英特尔CEO Paul Otellini表示，利用新技术，英特尔将制造出“震惊世界的设备”。
1956年，英特尔创始人之一Gordon Moore预言，芯片上晶体管的数量每18个月增加1倍，性能也大幅提高，40年来，随着芯片体积越来越小，计算机也越来越轻薄，价格也越来越低。
近年来，摩尔定律将失效的预言越来越多，随着3D技术的问世，摩尔定律将继续维持下去。
晶体管主要在处理器上承担着调节电流开与关状态的作用，它是现代电子工业的基本构件，其重要性类似人类的神经系统。得益于新材料与制造技术的不断进步，计算机的运行速度越来越快，英特尔此次3D技术的革新是对晶体管本身进行了重新设计。
一颗芯片上面集成了数十亿的晶体管，以往，它们全部被排列在单一层上，就像一个城市表面分布着无数的街道，3D技术让芯片迈向立体式发展，就像这些街道上出现人行天桥或立交桥一样。英特尔芯片上的这些“三门”立体接口帮助控制电流的开关状态，防止电流逃散，从而提高处理器的功耗性能。
英特尔进行3D晶体管技术研发已有10年时间，它有望奠定未来计算机产业发展的基础。
英特尔宣布，今年就将采用3D技术制造处理器，相关电脑将在2012年上市。
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