奥义思 5月5日 国际报道 英特尔表示首款基于3D晶体管Tri-Gate的Ivy Bridge芯片将采用22纳米工艺进入批量生产。
英特尔资深研究员马克·波尔（Mark Bohr）表示，如果没有重大改变，摩尔定律将走入死胡同。新3D技术的主要优势是三门包裹硅鳍三面。采用3D晶体管技术，英特尔能够制造更小、更快、电压更低的芯片，便于入驻更小的设备。
基于3D晶体管的芯片电压低、泄漏少、性能和能效可显著提高。英特尔表示，22纳米芯片性能较32纳米芯片提高37%。
三门晶体管将使每一个晶圆的生产成本增加2%-3%。为适应新技术，英特尔将在今年和2012年升级其工厂。
近10年来，英特尔一直在谈论三门晶体管。波尔说，尽管三门晶体管在业界为大家所熟知，但他认为英特尔至少领先竞争对手三年。
英特尔执行副总裁兼架构集团总经理大迪·珀尔穆特（Dadi Perlmutter）说，首款Ivy Bridge产品将面向客户端和服务器产品。他简要展示采用Ivy Bridge芯片的笔记本和台式机，强调其速度。Ivy Bridge最终将进入平板电脑、智能手机和嵌入式设备等小尺寸产品。
英特尔未披露Ivy Bridge的确切推出日期，只表示2012年将有相关设备问世。
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